p n junction

Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: P i N.W obszarze typu N(Negative) występują nośniki większościowe ujemne (elektrony) oraz unieruchomione w siatce krystalicznej atomy domieszek (donory). Analogicznie w obszarze typu P(Positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim oraz atomy domieszek (akceptory). W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych.
W celu uzyskania więcej informacji, zobacz w Wikipedia.οrg...

виж P-n преход
 Вижте повече на Wikipedia.οrg… 

p-n-преход е област в полупроводник, където p-проводимостта преминава в n-проводимост. Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников кристал или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при дифузия). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода - граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост. При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацияна на основните носители е съответно: Pp на Р носителите в Р областта и nn на n носителите в n областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация Pn и np като тези носители са с пъти по-малко от основните. Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на P носители от Р към n областта и на n към Р. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е: Iдиф. = Iдиф.Р+Iдиф.n. Проникналите P носители в n областта се рекомбинират с електроните, поради което концентрацията на електроните в тази област намалява. Аналогично проникналите в P областта n носители рекомбинират с p носителите.
 Вижте повече на Wikipedia.οrg… 

A p-n átmenet egy N-típusú félvezeto és egy P-típusú félvezeto találkozásánál alakul ki.N-típus esetén a félvezeto anyagát a gyártás során elektrontöbblettel rendelkezo anyaggal szennyezik, ezért ott negatív töltésuvé válik (ezért hívjuk n-típusúnak).P-típus esetén a félvezetot elektronhiánnyal rendelkezo anyaggal szennyezik, így 'lyukak' alakulnak ki az anyag szerkezetében, melyek pozitív töltésnek tekinthetok.
További információt lásd Wikipedia.org...

پيوندگاه' پى ان'
 کلمات مرتبط(1) 

کلمات مرتبط(p n junction):



بازگشت به واژه p n junction


junction 

B: (Fisika) sambungan p-n
Built to Babylon by Hikmat Gumilar Visit my Website;    

B: (Kimia) sambungan p-n
Built to Babylon by Hikmat Gumilar Visit my Website;