dynamic random access memory

DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory) – rodzaj pamięci o dostępie swobodnym stosowanej w komputerach jako pamięć operacyjną, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze. Ponieważ kondensatory mają tendencję do rozładowywania się, są one okresowo odświeżane przez wyspecjalizowany układ odświeżania. Z tego powodu układy pamięci DRAM są bardziej skomplikowane, ale ich zaletą jest niski koszt i małe rozmiary. Umożliwia to budowanie gęsto upakowanych i wymagających małej mocy, układów scalonych.
W celu uzyskania więcej informacji, zobacz w Wikipedia.οrg...

Dram - jednostka monetarna używana w Armenii i Karabachu 1 dram = 100 luma. W Karabachu na monetach widnieją:50 luma - koń50 luma - antylopa1 dram - św. Jerzy1 dram - bażant1 dram - pantera5 dram - cerkiew5 dram - pomnik
W celu uzyskania więcej informacji, zobacz w Wikipedia.οrg...

Dynamic Random Access Memory (DRAM) utgjør det vanligste minnet i datamaskinen. Det er ikke det raskeste minnet, men det har en enkel oppbygning, det er billig, og gjør jobben. I DRAM-brikkene lagres hver bit som en ladning på en kondensator koblet til en transistor. Problemet er at kondensatoren ikke klarer å holde på spenningen, men må oppdateres hele tiden. Hvert andre millisekund, som blir ca. 100 ganger i sekundet.
Les mer på Wikipedia.org...

کامپيوتر : حافظه دستيابى مستقيم پويا
 کلمات مرتبط(4) 

کلمات مرتبط(dynamic random access memory):



بازگشت به واژه dynamic random access memory


access 
 dynamic 
memory 
 random 

Dynamic random access memory
حافظه پويا ، در اين نوع حافظه ها براي سلول هاي حافظه از يك زوج ترانزيستور و خازن استفاده مي گردد .

Extended data-out dynamic random access memory
اين نوع حافظه ها در انتظار تكميل و اتمام پردازش هاي لازم براي اولين بيت نشده و عمليات مورد نظر خود را در رابطه با بيت بعد بلافاصله آغاز خواهند كرد. پس از اينكه آدرس اولين بيت مشخص گرديد EDO DRAM عمليات مربوط به جستجو براي بيت بعدي را آغاز خواهد كرد. سرعت عمليات فوق پنج برابر سريعتر نسبت به حافظه هاي FPM است . حداكثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 176 مگابايت در هر ثانيه است .

Fast page mode dynamic random access memory
شكل اوليه اي از حافظه هاي DRAM مي باشند. در تراشه اي فوق تا زمان تكميل فرآيند استقرار يك بيت داده توسط سطر و ستون مورد نظر، مي بايست منتظر و در ادامه بيت خوانده خواهد شد.( قبل از اينكه عمليات مربوط به بيت بعدي آغاز گردد) .حداكثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 176 مگابايت در هر ثانيه است

يك رويكرد كاملا" جديد نسبت به معماري قبلي DRAM است. اين نوع حافظه ها از Rambus in-line memory module)RIMM) استفاده كرده كه از لحاظ اندازه و پيكربندي مشابه يك DIMM استاندارد است. وجه تمايز اين نوع حافظه ها استفاده از يك گذرگاه داده با سرعت بالا با نام "كانال Rambus " است . تراشه هاي حافظه RDRAM بصورت موازي كار كرده تا بتوانند به سرعت 800 مگاهرتز دست پيدا نمايند.

Synchronous dynamic random access memory
از ويژگي "حالت پيوسته " بمنظور افزايش و بهبود كارائي استفاده مي نمايد .بدين منظور زمانيكه سطر شامل داده مورد نظر باشد ، بسرعت در بين ستون ها حركت و بلافاصله پس از تامين داده ،آن را خواهد خواند. SDRAM داراي سرعتي معادل پنج برابر سرعت حافظه هاي EDO بوده و امروزه در اكثر كامپيوترها استفاده مي گردد.حداكثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 528 مگابايت در ثانيه است .