Random Access Memory (RAM)
оперативная память
Запоминающее устройство с произвольным доступом
Запоминающее устройство с произвольным доступом — ЗУПД (или Запоминающее устройство произвольной выборки — ЗУПВ) (от ) — один из видов памяти, позволяющий в любой момент времени получить доступ к любой ячейке по её адресу на чтение или запись.Виды ЗУПВ:
Полупроводниковая статическая (SRAM) — ячейки представляют собой полупроводниковые
триггеры. Достоинства — небольшое энергопотребление, высокое быстродействие. Отсутствие необходимости производить «регенерацию». Недостатки — малый объём, высокая стоимость. Сейчас широко используется в качестве
кеш-памяти процессоров в
компьютерах.
Полупроводниковая динамическая (DRAM) — каждая ячейка представляет собой
конденсатор на основе перехода
КМОП-
транзистора. Достоинства — низкая стоимость, большой объём. Недостатки — необходимость периодического считывания и перезаписи каждой ячейки — т. н. «регенерации», и, как следствие, понижение быстродействия, большое энергопотребление. Процесс регенерации реализуется специальным
контроллером, установленным на
материнской плате или в центральном процессоре. DRAM обычно используется в качестве
оперативной памяти (
ОЗУ)
компьютеров.
Ферромагнитная — представляет собой матрицу из
проводников, на пересечении которых находятся кольца или
биаксы, изготовленные из
ферромагнитных материалов. Достоинства — устойчивость к
радиации, сохранение информации при выключении питания; недостатки — малая ёмкость, большой вес, стирание информации при каждом чтении. В настоящее время в таком, собранном из дискретных компонентов виде, не применяется. Однако к
2003 году появилась магнитная память
MRAM в интегральном исполнении. Сочетая скорость SRAM и возможность хранения информации при отключённом питании, MRAM является перспективной заменой используемым ныне типам
ROM и RAM. Однако она на сегодняшний день (
2006 год) приблизительно вдвое дороже микросхем SRAM (при той же ёмкости и габаритах).
Продолжение на Wikipedia.οrg...
Random access memory
оперативное запоминающее устройство
Dynamic Random Access Memory
динамическое оперативное запоминающее устройство, динамическое ОЗУ, ЗУПВ. Тип оперативной памяти, состоящей из конденсаторов и транзисторов и обычно
имеющей время доступа ок. 60 нс. Из-за того, что конденсаторы со временем разряжаются, требуется обновление через каждые несколько миллисекунд. Оно обычно производится аппаратно, но можно использовать и программные средства. Отсюда слово «динамическое» в названии, в отличие от статического ОЗУ.
Static Random Access Memory
статистическое ОЗУ; ОЗУ с временем доступа до 5 нс
Synchronous DRAM
синхронное динамическое ОЗУ, синхронная динамическая память. Отличается от обычной наличием специального логического блока и двухбанковой структурой. Все операции записи и чтения синхронизированы с основным тактовым сигналом.
random access memory
оперативная память f
оперативное запоминающее устройство (n); ОЗУ
Copyright © 2004-2006, Dr. Pavel Dallakian & Dipl.-Ing. Boris Yanyuk,
WinCept.com. All rights reserved.