Raman scattering or the Raman effect is the inelastic scattering of a photon. It was discovered by Sir Chandrasekhara Venkata Raman and Kariamanickam Srinivasa Krishnan in liquids, and by Grigory Landsberg and Leonid Mandelstam in crystals.

Als Raman-Streuung (auch Raman-Effekt oder Smekal-Raman-Effekt) wird die inelastische Streuung von Licht an Atomen oder Molekülen bezeichnet. Sie ist nach Chandrasekhara Raman benannt, der den Effekt 1928 erstmals nachweisen konnte. Das emittierte Streulicht ist bei der Raman-Streuung spezifisch und besitzt eine höhere oder niedrigere Frequenz als die des einfallenden Lichtstrahls. Aufgrund des kleineren Streuquerschnittes ist der Anteil des frequenzverschobenen Lichtes jedoch um einen Faktor 10³ bis 10⁴ geringer als der des elastisch gestreuten Lichtes, welches als Rayleigh-Streuung bezeichnet wird.

La diffusion Raman, ou effet Raman, est un phénomène optique découvert par le physicien indien Chandrashekhara Venkata Râman. Cet effet consiste en la diffusion inélastique d'un photon, c'est à dire le phénomène physique par lequel un milieu peut diffuser de la lumière en modifiant légèrement sa fréquence. Ce décalage en fréquence correspond à un échange d'énergie entre le rayon lumineux et le milieu.

Ramanspridning är inelastisk spridning av ljus genom interaktion med elektroniska, magnetiska eller vibrationella excitationer i materia.

Efekt Ramana lub zjawisko Ramana lub rozpraszanie ramanowskie- nieelastyczne rozpraszanie fotonów przez substancje. Polega ono na tym, że przy rozproszeniu wiązki światła w widmie rozproszonym występują, obok fotonów o takiej samej energii (rozpraszanie Rayleigha) fotony (około 1 na 10⁷) o zmienionej energii. Powoduje to powstanie w widmie, obok pasma Rayleigha o takiej samej częstotliwości jak światło padające, tak zwanych pasm stokesowskich i antystokesowskich o odpowiednio zwiększonej i zmniejszonej częstotliwości, symatrycznie położonych po obu stronach pasma Rayleigha. Są one na ogół około 1000 razy słabsze od pasma Rayleigha, a ich liczba i położenie zależy od budowy cząsteczek rozpraszających.