Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but uses a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. FeRAM is one of a growing number of alternative non-volatile random-access memory technologies that offer the same functionality as flash memory. FeRAM advantages over flash include: lower power usage, faster write performance and a much greater maximum number (exceeding 10¹⁶ for 3.3 V devices) of write-erase cycles. Disadvantages of FeRAM are much lower storage densities than flash devices, storage capacity limitations, and higher cost.

Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften.

La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile actuellement (en 2006) à l'état de recherche et développement. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité.

FeRAM är en typ av RAM-minne som behåller innehållet även då strömmen slagits av. FeRAM är snabbare och kan skrivas till betydligt flera gånger än t.ex. flashminnen därmed blir det möjligt att konstruera hemelektronik som är mindre beroende av att stå i stand by-läge..

FRAM (FeRAM, Ferroelectric RAM) – typ  pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym - kryształach roztworu stałego cyrkonianu i tytanianu ołowiu (materiały typu perowskitu). Kryszały te zawierają wewnątrz siatki atomy o dwóch stabilnych pozycjach. Przyłożenie napięcia o odpowiedniej polaryzacji wymusza zmianę pozycji atomu. Odczyt polega na pomiarze pochłanianej energii po kolejnym przyłożeniu napięcia – wiąże się to z koniecznością regeneracji zapisu w komórce.