EEPROM, 或稱 E2PROM, 全稱「-{A|zh-hant:電氣可擦拭可規化式;zh-hans:電可擦除可編程}-唯讀記憶體 (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)」。相比
EPROM，EEPROM 不需要用
紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的
電壓, 來-{A|zh-hans:擦除;zh-hant:擦拭}-
芯片上的, 以便寫入新的。EEPROM 有四種工作模式: 讀取模式、寫入模式、擦除模式、-{A|zh-hans:校驗;zh-hant:核對}-模式。讀取時，芯片只需要 Vcc 低電壓（一般+5V）供電。-{A|zh-hans:編程;zh-hant:規化}-寫入時，芯片通過 Vpp（一般+25V）獲得編程電壓，並通過 PGM 編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦除時，只需使用 Vpp 高電壓，不需要紫外線，便可以擦除指定-{A|zh-hans:地址;zh-hant:位址}-的內容。為保證編程寫入正確，在每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。由於 EEPROM 的優秀性能, 以及在線上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦除的 ROM 芯片以及閃存芯片，並逐步替代部分有斷電保留需要的 RAM 芯片。它與高速 RAM 成為當前 ( 21 世紀 00 年代) 最常用且發展最快的兩種存儲技術。
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