DRIE

Deep reactive-ion etching (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep, steep-sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features, but is also used to excavate trenches for high-density capacitors for DRAM.
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La gravure ionique réactive profonde (en anglais Deep Reactive Ion Etching DRIE) est un procédé de gravure ionique réactive fortement anisotrope utilisé en micro-électronique. Il sert à créer des trous et des tranchées profondes dans des wafers avec un rapport largeur/hauteur de 20/1 ou plus. Cette technique a été développée pour les microsystèmes électromécaniques (MEMS) qui nécessitent ce type de fonctionnalités mais est aussi utilisée pour creuser des tranchées pour les condensateurs à haute densité de la DRAM.
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Deep Reactive Ion Etching ( DRIE), eine Weiterentwicklung des RIE, ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren mit Aspektverhältnissen bis zu 50:1 und Strukturtiefen bis 300 Mikrometern in Silizium. Hauptanwendungsgebiet ist die Herstellung von MEMS. Durch Anwendung verschiedener Maskenstoffe können mehrere Tiefenebenen realisiert werden, deren Zahl jedoch aufgrund des hohen Aufwandes sehr beschränkt bleibt (2 1/2 D-Strukturen).
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3, het jaartal3 (getal), een getal Drie (Gelderland), een buurtschap in de gemeente Ermelo (Gelderland)
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drie
\drie\ (?), v. t. [see dree.] to endure. [obs.] so causeless such drede for to drie. -- chaucer.